摩尔定律终极解法！从「化圆为方」到玻璃基板，异质整合先进封装如何引爆芯片新战局？

李淑莲╱北美智权报 编辑部

当芯片微缩的物理极限与高昂的研制成本，双重宣告了传统「摩尔定律」单一芯片时代的终结，半导体产业的技术主导权已悄然从前段制程移转至后段的先进封装与异质整合。这不仅是一场从 2.5D 水平排列、3D 混合键合到次世代玻璃基板的材料与结构革命，更是一次全面重新定义半导体产业链价值分配的商业重塑。面对 NVIDIA 等科技巨头对产能的强力争夺，全球高阶封装产能在供需失衡的「黄金周期」里陷入前所未有的产能焦虑。与此同时，地缘政治下的专利地壳变动、共封装光学（CPO）的跨领域整合，以及台积电资本支出激增所带动的台湾本土供应链红利，正共同交织出一个跨越材料、设备、智财权与地缘政治的全新芯片战局。本文将带领读者深度剖析这场牵动半导体未来黄金十年的「化圆为方」技术变革与全球竞争图谱。

随着摩尔定律（Moore’s Law）在物理尺度微缩与经济效益上面临双重极限，传统单一芯片（Monolithic）的设计模式已难以单独支撑运算效能的指数级成长。在此脉络下，半导体产业的技术主导力量已由前段制程微缩正式转移至后段的先进封装（Advanced Packaging）与异质整合（Heterogeneous Integration）技术。异质整合藉由将不同制程节点、不同材质（如硅、砷化镓、磷化铟）以及不同功能的晶粒（Chiplets）整合于单一封装体中，实现系统级创新（System-Level Innovation），并全面重新定义半导体产业链的价值结构。

异质整合先进封装之核心技术演进与平台革新

2.5D与3D垂直堆栈技术的技术交联

异质整合的核心在于建立高密度、低延迟且低功耗的芯片间互连。台积电 (TSMC)、英特尔（Intel）与三星（Samsung）等三大巨头在2.5D与3D结构的研发上已演进出高度分化却又相互交联的架构。

在3D垂直堆栈领域，台积电的系统整合芯片（SoIC）技术引领了全新世代的3D先进封装，成为突破单一芯片晶体管密度、讯号传输效率以及功耗与散热等三大物理瓶颈的唯一解方。相较于传统 2.5D水平排列技术会产生积热与电力损耗，并受限于光罩（Reticle）面积而无法无限水平扩张，3D垂直堆栈能大幅缩短晶粒间的传输距离，已成为AI 服务器追求极致运算性能与能效比的必然选择。

受此趋势驱动，超威半导体（AMD）已率先于 MI300 系列服务器芯片中导入此技术；辉达（NVIDIA）预计于 Rubin Ultra与 Feynman世代全面跟进，而苹果（Apple）亦计划在其 M 系列芯片中导入此 3D堆栈架构，以支撑强劲的边缘运算（Edge AI）需求。这使得台积电的 SoIC 月产能预计于 2026 年至 2028 年间，由原先的 1.6 万片大幅扩张至 7.8 万片。

为了解决系统级设计与跨生态系协作的瓶颈，国际半导体产业协会（SEMI）在 SEMICON Taiwan 2025 展会上正式启动了「SEMI 3DIC 先进封装制造联盟（SEMI 3DICAMA）」，旨在串联产业合作、强化供应链韧性、推动 UCIe（通用芯片互连快递）与 ODSA 等现有标准的导入，进而加速 3D堆栈技术的全球商转与升级。

混合键合（Hybrid Bonding）的商用进程与物理极限

当 3D 堆栈的晶粒间距（Pitch）缩减至 10 微米以下时，传统微凸块（Microbump）技术因面临寄生电容大、热阻高以及共晶焊接应力大等限制，已达到物理极限，促使混合键合（Hybrid Bonding）技术崛起。该技术透过直接进行铜对铜（Metal-to-Metal）与介电质对介电质（Dielectric-to-Dielectric）的 bumpless 无凸块原子级键合，实现极细间距的互连。

在商业生产方面，混合键合目前已达到技术成熟度第九阶段（TRL 9），并在 9 微米间距下实现大规模商业化量产。例如，超威半导体采用的第二代 3D V-Cache 技术即是透过 face-to-back 的混合键合，将 7 奈米 SRAM 直接堆栈于 5 奈米逻辑裸晶上，实现了10倍于传统封装的带宽密度提升。目前，全球研发目标已锁定在2至5微米乃至亚微米级（Submicron，即 0.1到1μm之间）的超细间距。然而，此技术要求加工精度的洁净度与几何平坦度必须比照前段晶圆代工标准，这使具备前段制造能力的晶圆代工厂（台积电、英特尔、三星）占绝对优势，传统后段 OSAT 厂则因无尘室等级与高精密设备投资门坎而面临极高技术高墙。

扇出型面板级封装（FOPLP）与玻璃基板（GCS）的技术变革

随着AI芯片单一封装体面积持续膨胀，传统晶圆级封装（FOWLP）由于12 吋圆形晶圆的几何形状限制，其面积利用率仅为62%至65%，导致边缘材料大量浪费。为了解决此一限制，扇出型面板级封装（FOPLP）技术因应而生。FOPLP 采用矩形大尺寸面板（如 515 × 510 毫米或更大）取代圆形晶圆，材料利用率大幅跃升至 90%至95%，在相同的设备投资下产出量可翻升 3.7 倍，单颗封装成本可显著调降 20%至40%。

尽管 FOPLP 的成本与大面积整合优势显著，但大尺寸有机面板在制程中极易发生翘曲（Warpage），且有机材质的机械与热学性质不稳定，会限制重布线层（RDL）的细线宽/线距（Line/Space）爬坡。目前，传统ABF基板的 I/O 间距通常在130微米以上，而高密度 RDL 制程则要求将线宽/线距压缩至 2 微米以下，这对封胶材料（EMC）的热膨胀系数（CTE）匹配性提出了严苛挑战。

为了解决此一物理瓶颈，玻璃芯基板（Glass Core Substrate, GCS）技术正成为了产业的终极变革方案。玻璃具备极佳的电气信号传输、低介电损耗、高机械强度与热稳定性，能支持大面积高密度面板封装，满足高频高速与大功耗运算需求。

台积电针对2028年后的大型 AI 芯片封装需求，已开始布局其下一代「以方代圆」的先进封装技术 CoPoS（Chip on Panel on Substrate）。CoPoS 第一代预计采用有机重布线层或巨型硅片中介层，而第二代必杀技术则确立将全面导入玻璃基板。在玻璃基板与 FOPLP 供应链中，日本 Ibiden 与群创光电（Innolux）正与台积电进行联合技术验证。群创光电推动「双轨转型（More than Panel）」，将其旧有面板产线改造为 FOPLP 先进封装与光通讯技术平台，并已成功切入 TGV（玻璃穿孔）技术，其工艺与 Ibiden 的基底处理技术相搭配，与台积电的玻璃核心基板布局高度呼应。此外，中国大陆的面板巨头如京东方（BOE）、华星光电与天马亦在积极规画 FOPLP 产线，而京东方与维信诺（Visionox）也在评估以玻璃载板供应为核心切入先进封装赛道的商机。

全球市场供需格局、核心数据与细分应用

先进封装整体市场规模与高阶产能供需错配

全球先进封装市场正处于由 AI 算力需求引导的「黄金周期」。根据各机构的最新数据，虽然对先进封装统计范畴的定义有所不同，但高阶 2.5D/3D 与面板级封装的超高速成长已成为共识。 表1汇整并比较了全球先进封装与细分市场的规模与预测数据。

表1.  全球先进封装与细分市场规模与预测数据；数据源：[1][2][3][4]；整理制表，北美智权报 / 李淑莲

[1] Advanced packaging rose 3% in Q4 2025; Q1 2026 dips on seasonality, but AI and HPC demand keep the full-year outlook strong.；yolegroup.com，Apr 2026

[2] Advanced Packaging Market (2026 – 2033)；Grand View Research，Last Virewed：2026/07/14

[3] 羣智諮詢：預計2026年全球先進封裝市場規模將達587億美元 同比增長約97%；Investing.com，2026-5-18

[4] PLP market set to grow more than 40% CAGR to 2031, driven by UHD FO/2.5D for AI, HPC, and chiplet architectures.；yolegroup.com，MAR 2026

當前，高階 AI 晶片封裝（如台積電 CoWoS）的短缺已成為比前段3奈米製程更稀缺的瓶頸，供需錯配預計將持續至 2027 年上半年。NVIDIA憑藉強大資金優勢，透過支付溢價鎖定了台積電 63% 的 CoWoS 產能，迫使Apple、AMD、博通（Broadcom）與二線晶片設計初創公司去爭奪剩餘的產能。受此波及，未取得足夠封裝產能的 ASIC 晶片及 AI 新創企業正面臨估值下調和訂單縮減的風險，而能夠順利切入英特爾 EMIB 或日月光等替代封裝管道的公司則獲得了估值修復的機會。

在供給嚴重不足下，台積電 CoWoS 封裝報價調漲10%至20%，急單加價甚至達 20%至30%。ABF載板、矽中介層以及高階熱界面材料（TIM）的交期拉長至 18至24 個月，各季度價格漲幅達30%至40%。HBM3E 與 HBM4的產能同樣被全球主要記憶體大廠包下至 2027年，現貨市場近乎歸零，迫使HBM價格相應上漲 15%至20%。

細分應用市場一：5G 射頻（RF）與通訊系統級封裝（SiP）

除AI與HPC之外，5G及毫米波（mmWave）通信技術的普及亦為先進封裝開闢了龐大的細分市場。根據 Yole 團隊分析，全球5G封裝市場預估在 2026年達到26億美元，其核心驅動力在於射頻前端模組（RFFE）與天線封裝（AiP）技術的極限緻密化（Densification）。 表2列出了5G手機及射頻先進封裝市場的細分板塊結構預估 。

  表2. 5G手機及射頻先進封裝市場細分板塊結構預估；資料來源：[5]；整理製表，北美智權報 / 李淑蓮

在 5G 毫米波高頻傳輸需求下，射頻訊號容易受到干擾且衰減極大，傳統的平面網格陣列封裝（LGA SiP）自 2018年起逐步被雙面球柵陣列封裝（Double-sided BGA SiP）所取代，並導入了基於覆晶封裝（Flip-Chip）和扇出（Fan-Out）技術的全新架構，以縮小天線與射頻晶粒間的物理距離，將寄生損耗降至最低。

細分應用市場二：共封裝光學（CPO）與高階光電積體電路（PIC）

AI 算力叢集（Clusters）的持續擴張，推動光通訊由伺服器機架外部向封裝內部演進。共封裝光學（CPO）將光電收發器與矽光子積體電路（PIC）直接與 ASIC 邏輯晶片共同封裝，以光導纖維取代傳統的銅介質 PCB 線路，實現超高頻寬與超低時延。

根據市場預測，AI 對高性能光互連的渴求將重塑整個光通訊市場，全球光收發器市場將在6年內由 234 億美元暴增至 1,123 億美元。在技術路徑上，矽光子（Silicon Photonics）已崛起成為下一代光互連的主導平台，因為其能夠提供高頻寬密度、低功耗，並具備與前段 CMOS 製造設備相容的優勢。目前，業界正積極為單通道 400G 核心架構做準備，並同時開發包括薄膜鈮酸鋰（TFLN）、磷化銦（InP）、矽化氮（SiN）、有機調變器及高介電性鈦酸鋇（BTO）等新一代材料平台。

然而，CPO 的大規模商轉仍受制於三大關鍵技術瓶域，包括 EML 激光器壽命與高溫耦合效率、高階數位訊號處理器（DSP）功耗，以及光子集成與高精度封裝測試技術。

先進封裝全球專利概觀與智慧財產權地緣角逐

三大半導體霸主的先進封裝專利競爭力

先進封裝已成為半導體製造商建立技術專利護城河的深水區。根據專利數據庫的最新統計，台積電、三星與英特爾在全球高階先進封裝領域具有絕對的智財權控制力。

• 台積電（TSMC）：在專利數量與引引用品質上皆居全球首位，擁有2,946 項最高引引用品質排名的專利。其技術佈局高度集中於5D/3D 集成、高密度中介層與 bumpless 混合鍵合，並以其 Integrated Fan-Out（InFO）和 System-on-Integrated Chips（SoIC）技術構成了堅不可摧的專利群[6][7]。
• 三星電子（Samsung）：以2,404項高引引用專利排名第二，技術品質排名第二。三星自2015年起採取防禦兼具進攻的策略，在FOPLP專利與3D記憶體（HBM）堆疊封裝領域急劇拉升專利申請量，以期在與台積電的晶圓代工與先進封裝雙線戰爭中取得均勢[8][9]。
• 英特爾（Intel）：持有 1,434 項高引引用專利，品質排名第三。英特爾在 EMIB 矽橋接技術與 Foveros 3D 封裝架構上擁有先發的基礎專利優勢。近年來，其專利主力已移向玻璃芯載板（Glass Core）與 TGV（玻璃穿孔）製造工藝，以在新材料的導入階段確立主導權[10][11]。

混合鍵合、CPO 與 FOPLP專利訴訟與授權動態

混合鍵合的專利佈局呈現極高集中度。智慧財產權巨頭 Adeia（前身為 Xperi）擁有 Direct Bond Interconnect (DBI®) 的核心基礎專利，涵蓋混合鍵合的結構設計、表面平坦化、熱管理（US11011494）與金屬原子擴散阻絕機制（US11031285）。Adeia 採行極強勢的智慧財產權維權策略，其半導體部門在2025年創下4.434億美元的歷史新高營收，這高度得益於其向索尼、長江存儲、美光及微軟等巨頭進行策略性專利授權[12]。

Adeia於2025年1月於德州聯邦法院對AMD發起兩起重大的半導體封裝專利侵權訴訟，指控其未經授權在多款 CPU/GPU 晶片中採用混合鍵合相關技術。此案最終於2026年3月以雙方達成多年期策略技術授權協議落幕，成功消除了AMD的訴訟與營運風險，但也再次證明基礎封裝專利對高階晶片設計業者所具有的實質箝制力量[13]。

在共封裝光學（CPO）領域，專利競爭同樣異常激烈。自2020 年以來，全球有超過 1,300個專利家族、共 4,000 多項單一專利圍繞 CPO 展開佈局，其中美國、中國與歐洲為主要專利保護國。英特爾、思科、華為、博通、台積電以及諾基亞等巨頭在光電異質互連、光發射引擎與高頻光調變結構上申請了龐大專利，大幅縮緊了新進業者的自由營運（FTO）空間[14]。

與此同時，中國半導體企業在面對地緣政治制約下，亦將先進封裝視為國產算力自主化（Self-Sufficiency）與技術突圍的最關鍵路徑。長江存儲（YMTC）與武漢新芯（XMC）依託 Xtacking® 技術專利，在3D NAND 高規堆疊混合鍵合專利領域已具備國際競爭力。通富微電、長電科技（JCET）、華天科技、沛頓科技與海太半導體等中國大陸封測大廠，亦在高密度 HBM 封裝及大面積2.5D 中介層技術上建立防禦型專利群，以迎合國產 AI 晶片的本土封裝需求[15]。

關鍵散熱專利解析、材料瓶頸與台灣本土設備材料商機

3D 堆疊極限熱散失與應力調控專利

在 3D密集堆疊與多晶片異質整合中，由於熱源高度重疊，熱流密度（Heat Flux）經常超過 300 W/cm²。為了防止熱量積累導致元件失效與熱形變翘曲，台積電近年密集發布了一系列高階物理散熱與應力補償專利，展現其從前段設計階段即開始整合熱管理的策略：

• 多 TIM 分區與方向性散熱（US20240363474）：透過在系統包裝內部設計方向性高導熱材料（Thermal Interface Material, TIM）路徑，將高功耗裸晶（如GPU核心）發熱路徑與低功耗區域（如記憶體）進行熱隔離，大幅降低熱量在多晶片內部的水平擴散，減少異質材質膨脹不均產生的剪切應力[16]。
• 石墨基 TIM 的機械防護架構（US20250309071）：針對石墨等具備極佳平面高熱導率但極度脆弱且附著力差的材料，台積電設計了高精密間隔框架結構（Spacer Frame），對石墨 TIM 進行機械包裹與垂直壓縮，防止其在長期冷熱循環中因應力膨脹而發生微裂紋或剝離[17]。
• gap-filling 應力調控與防翘曲結構（US12249566）：採用具備特定彈性模量與熱導率的非導電填充材料充填 3D 晶片間隙，調控固化過程中的殘餘應力（Residual Stress），減少矽中介層翹曲[18]。
• 加強型支持基底（US20250266318）：在晶片外圍覆蓋一層兼具機械支撐與向上高熱傳導功能的金屬化載體結構，並可配合虛擬晶片（Virtual Chips）和非對稱材料組合，達成封裝整體的應力動態平衡[19]。
• 前段互連熱疏導架構（US20250300149）：利用薄化載體晶圓配對對準的虛擬金屬墊（Virtual Pads），將底層晶片積熱經由前段金屬互連線路直接向上導出至高效率散熱片，縮短垂直散熱路徑。

台灣本土半導體設備、測試與材料供應鏈的成長紅利

在台積電資本支出於2026年大幅飆升至520億~560億美元的背景下，高階先進封裝設備、特殊測試與材料本土化成為台灣供應鏈的最強催化劑。

表3詳列了台積電 CoWoS / SoIC 先進封裝與次世代 CoPoS 技術之台灣本土供應鏈核心受惠名單與技術核心。

  表3. 台積電 CoWoS / SoIC 先進封裝與次世代 CoPoS 技術之台灣本土供應鏈核心受惠名單；資料來源：[20][21][22]；整理製表，北美智權報 / 李淑蓮

先進封裝全球競合與跨國布局

值得關注的是，面對地緣政治的不確定性與各國對半導體製造本土化的硬性要求，晶圓代工龍頭的海外布局策略正從單純的「晶圓製造」延伸至「先進封裝」。

台積電在美國亞利桑那州的擴建計畫，除原先宣布的多期晶圓代工線外，已正式擴大至包括8座晶圓製造廠與4座高階先進封裝廠的龐大基地，旨在為美國當地的科技巨頭（如蘋果、輝達、微軟、亞馬遜）提供一站式的前後段在地化生產方案。

與此同時，英特爾亦在美國新墨西哥州、馬來西亞居林與檳城建立了高階EMIB及 Foveros 3D先進封裝產線，試圖利用其全球化的後段封裝據點來對抗台積電的產能壟斷。即使是新興國家與地區，也在這場競賽中加速布局。例如日本的Rapidus宣布於2026年全面啟動1.4奈米前段製程研發，並同步規劃先進封裝配套；而三星則在良率改善上取得重大突破，其2奈米前段良率在半年內翻升三倍並突破60%，為其後續發展2.5D I-Cube 及 3D堆疊封裝打下了堅實的製造基礎。

總結與長線發展趨勢

綜上對半導體異質整合先進封裝在技術、市場及專利佈局上的最新追蹤，筆者歸納出以下3項長線發展趨勢：

首先，「化圓為方」的光電整合新時代是技術趨勢。以台積電SoIC為首的3D垂直堆疊將在未來數年迅速由1.6萬片擴充至7.8萬片，而2028年後的超大型晶片則將正式進入以玻璃核心基板（GCS）及TGV為技術核心的 CoPoS 面板級封裝時代。同時，CPO技術隨著AI算力交換頻寬爆發，也將在矽光子平台上獲得實質性的商用放量，引領銅互連向光互連的革命性躍升。

其次，市場端仍將處於較長週期的產能與關鍵材料供需失衡狀態，預計拐點直至 2027 年下半年才會到來。在NVIDIA、AMD等巨頭高價搶占高達63%的高階產能限制下，英特爾與日月光等二線高階封裝管道正積極擴產承接溢出商機，而大陸OSAT業者亦透過HBM本土化封裝在國產自給率政策下獲得高度成長空間。

最後，專利訴訟與智慧財產權授權已由被動防禦演化為主導產業利潤分配與市場准入的戰略武器。以Adeia、台積電、三星與英特爾為代表的專利大廠將繼續在混合鍵合、CPO與玻璃基板等關鍵細分賽道上收緊專利保護網。晶片設計公司在追求極限運算性能時，除必須積極搶占稀缺的後段產能外，亦應建立全面的 FTO（自由營運）專利合規體系，避免陷入動輒上億美元的專利訴訟，以確保供應鏈長線的安全與彈性。

備註：

[1] Advanced packaging rose 3% in Q4 2025; Q1 2026 dips on seasonality, but AI and HPC demand keep the full-year outlook strong.；yolegroup.com，Apr 2026
[2] Advanced Packaging Market (2026 – 2033)；Grand View Research，Last Virewed：2026/07/14
[3] 羣智諮詢：預計2026年全球先進封裝市場規模將達587億美元 同比增長約97%；Investing.com，2026-5-18
[4] PLP market set to grow more than 40% CAGR to 2031, driven by UHD FO/2.5D for AI, HPC, and chiplet architectures.；yolegroup.com，MAR 2026

[6] Advanced packaging technology landscape 2026；patsnap，1 April 2026
[7] Advanced semiconductor packaging: leading patent owners and new entrants；KnowMade，September 06, 2024
[8] 同註6
[9] 同註7
[10] 同註6
[11] 同註7
[12] 同註7
[13]【即時新聞】超微AMD與Adeia簽署多年授權協議，成功化解專利訴訟並取得封裝技術；CMoney投資網誌，2026-03-12
[14] Co-Packaged Optics & Optical Interconnects Patent Landscape Analysis Report 2026: 1,300 Patent Families Analyzed Since 2020 with Global Filing Trends, Leading Assignees and IP Newcomers Identified；GlobeNewswire，February 19, 2026
[15] 同註7
[16] How TSMC is reshaping thermal management for 2.5D/3D advanced packaging in the HPC and AI era；EEWORLD，:2026-03-17
[17] 同註16
[18] 同註16
[19] 同註16
[20] 【台積電法說會】2026資本支出衝上560億美元，有哪些概念股會受惠？；口袋學堂，2026/01/15
[21] 台積電布局CoPoS，「3台廠」搶先卡位，CoWoS擴產、CoPoS長線商機通吃！; Smart自學網，2026-05-29
[22] 台積電一代CoPoS過渡品或有機RDL/巨型矽片，二代必殺計一定是玻璃基板！留給台積電的時間不多了；鉅亨號，2026/07/07

參考資料：

1. 2026 年先進封裝產業深度報告：台積電SoIC 引領全新世代3D 先進封裝，開啟新一波算力革命；富果投研，最後更新日：06.21
2. AI 與 HPC 等高效能應用推動封裝技術升溫　3DIC、FOPLP、Chiplet 等國際論壇備受關注；SEMI Taiwan，2025-07-03
3. 先進封裝技術崛起 SEMICON Taiwan 2025 引領全球協作開啟系統級創新；SEMI Taiwan，2025-07-03
4. FOPLP 是什麼？先進封裝新世代概念股龍頭整理與投資評估框架（2026）；Wistock，2026/05/24
5. Advanced semiconductor packaging: leading patent owners and new entrants；KnowMade，Last Virewed：2026/07/14
6. 台積電法說會前夕　FOPLP封裝10檔；鏡週刊，07.08
7. 眺望2026系列｜面板級封裝發展與應用趨勢-鄭緁玲 J1；IEK產業情報網，Last Virewed：2026/07/14
8. 台積電一代CoPoS過渡品或有機RDL/巨型矽片，二代必殺計一定是玻璃基板！留給台積電的時間不多了；鉅亨號，2026/07/07
9. 台積電布局CoPoS，「3台廠」搶先卡位，CoWoS擴產、CoPoS長線商機通吃；Smart自學網，2026-05-29
10. Advanced packaging rose 3% in Q4 2025; Q1 2026 dips on seasonality, but AI and HPC demand keep the full-year outlook strong.；com，Apr 2026
11. PLP market set to grow more than 40% CAGR to 2031, driven by UHD FO/2.5D for AI, HPC, and chiplet architectures.；com，MAR 2026
12. Advanced Packaging Market (2026 – 2033)；Grand View Research，Last Virewed：2026/07/14
13. 台積電再度上調2026~2027的 CoWos 產能目標；鉅亨號，2026/05/27
14. Yole：5G封裝市場2026年達26億美元 從RF模組到AiP10；科技產業資訊室，2021年5月4日
15. Yole：六年跃至1120亿美元 AI重塑光模块市场；訊石光通訊網，2026/7/8
16. Co-Packaged Optics & Optical Interconnects Patent Landscape Analysis Report 2026: 1,300 Patent Families Analyzed Since 2020 with Global Filing Trends, Leading Assignees and IP Newcomers Identified；GlobeNewswire，February 19, 2026
17. Chapter 33：Semiconductors，The silicon foundation of modern technology；PatentWorld；Last Virewed：2026/07/14
18. 愛迪亞 (Adeia) 股票是什麼？；Bitget，Last Virewed：2026/07/14
19. How TSMC is reshaping thermal management for 2.5D/3D advanced packaging in the HPC and AI era；EEWORLD ，2026-03-17
20. 【台積電法說會】2026資本支出衝上560億美元，有哪些概念股會受惠？；口袋證券，2026/01/15

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