從營業秘密到專利侵權：Renesas v. Navitas引爆GaN 智財大戰

李淑蓮╱北美智權報 編輯部

2026年7月至8月間，全球氮化鎵（GaN）半導體產業迎來了最具戰略意義的智財法律風暴。日本半導體巨頭瑞薩電子（Renesas Electronics）於2026年7月22日向美國加州北區地方法院發起訴訟，指控前高管 Christopher Allexandre（現任 Navitas 執行長）及 Felicia Cheng 涉嫌竊取針對AI資料中心之下世代 GaN 晶片的核心營業秘密。面對營業秘密指控，Navitas Semiconductor 於2026年8月10日迅速展開強烈反擊，向美國德克薩斯州東區地方法院提起專利侵權訴訟（案號：2:26-cv-00676），指控 Renesas 旗下的主力 SuperGaN 功率半導體產品線侵犯其4項關鍵美國專利（US 9,929,079、11,545,838、11,770,010及11,862,996）。這場交鋒不僅揭示了前高管跳槽引發的智財爭端，更反映出雙方在收購重組與「Navitas 2.0」轉型戰略下，對高功率 AI 伺服器電源與 800V 架構掌控權的激烈競爭。伴隨這場專利與營業秘密雙向法律戰的升級，下游通路商凌洋旭電（Ryoyo Ryosan）已確認達成調解並將於 2027年3月終止與 Renesas 的授權分銷協議，突顯出智財糾紛已對下游供應鏈穩定性造成實質連鎖影響。筆者將深入剖析 Navitas 與 Renesas 的法律戰細節，並面盤點全球 GaN 專利地景、技術爭熱點與重大 ITC 訴訟判例，為產業鏈決策者提供戰略洞察。

GaN產業近況

第三代半導體（化合物半導體）領域中，氮化鎵（GaN）憑藉高臨界電場、高電子遷移率與高切換頻率等物理特性，已全面從早期消費性電子快充市場擴展至AI資料中心、電動汽車（EV）動力總成、能源電網及工業電氣化等高功率應用。隨著高功率 AI伺服器電源架構轉向 800V系統，GaN 能提供較傳統矽基絕緣閘極雙極電晶體（IGBT）高出約10倍的切換頻率，並降低約 30% 的能量損耗，使其成為下世代算力基礎設施的關鍵戰略技術。

隨著市場價值的暴增，全球GaN產業的競爭軸心已從純粹的產能與良率比拼，全面升級為智財權（IP）與營業秘密的法律戰。近期美國納斯達克上市的微半導體廠商 Navitas Semiconductor 與日本半導體巨頭 Renesas Electronics 爆發的雙向法律訴訟，即為此趨勢的集中體現。雙方交鋒橫跨營業秘密竊取與專利侵權主張，其背後交織著高階高管跳槽、企業併購重組（如 Renesas 收購 Transphorm）以及下世代 AI 電源技術的掌控權爭奪。

同時，全球 GaN 專利全景正經歷深刻的結構性演變。歷史上由日美歐 IDM 大廠主導的專利壁壘，正面臨中國大陸企業與學術機構在專利申請數量上的大幅衝擊。然而，在核心專利的質量、高價值市場（如歐美）的布局，以及國際貿易委員會（ITC）等行政禁令訴訟中，傳統美歐日巨頭與新興晶圓代工廠（如台積電、聯電）仍掌握關鍵話語權。

Navitas 與 Renesas 雙向法律戰全面剖析

Navitas 與 Renesas 之間的法律衝突並非單一訴訟事件，而是涉及高階主管跳槽引發的營業秘密訴訟與隨後發起的專利侵權反擊戰。這場雙向訴訟充分揭示了全球半導體巨頭在面臨關鍵技術人才流動與市場版圖重組時的智財防禦與攻擊戰術。

表1. Navitas 與 Renesas 雙向法律戰概況；整理製表：北美智權報／李淑蓮

訴訟源頭可追溯2025年9月，當時Navitas任命 Christopher Allexandre 出任新任總裁兼執行長。Allexandre 此前擔任 Renesas電源部門高級副總裁兼總經理，掌管Renesas規模達25億美元的電源管理業務。隨後，另一名 Renesas高階主管 Felicia Cheng 也加入Navitas。Renesas於2026年7月22 日向美國加州北區地方法院提起訴訟，控告Navitas及上述兩位高管竊取營業秘密。Renesas在訴狀中指稱，Allexandre 與 Cheng 在離職前非法獲取並轉移了 Renesas 關於下世代 GaN 晶片的核心機密檔案，內容涵蓋針對 AI 資料中心應用的技術路線圖、產品規格、成本結構及市場發表時間表。Renesas 強調，Navitas 後續推出的「Navitas 2.0」企業轉型戰略，在目標客戶群、技術突破方向以及市場切入點上，與 Renesas 被竊取的全套商業藍圖展現出高度的重合性。

在面對Renesas的營業秘密指控後，Navitas 於2026年8月10日展開強烈反擊，向專利訴訟傳統上對原告較有利的美國德克薩斯州東區地方法院提起專利侵權訴訟（案號：2:26-cv-00676）。Navitas宣稱其在全球擁有超過300項已獲證或申請中的專利，並指控 Renesas 的主力 GaN 產品線（尤其是 SuperGaN 系列功率半導體）侵犯了Navitas擁有的一系列核心功率轉換與高效率技術專利。本次 Navitas主張的4項核心美國專利（US 9,929,079、US 11,545,838、US 11,770,010、US 11,862,996）涵蓋了GaN 功率積體電路（Power IC）中的驅動整合、感知保護、閘極控制與高頻開關拓撲結構，正是 Navitas 旗下的 GaNFast™ 與 GaNSense™ 技術體系的核心基礎。Navitas 向法院申請雖未具體列明金額的損害賠償，但已請求頒布禁令，禁止Renesas 在美國製造、進口或銷售侵權產品。

Navitas與Renesas 的法律交鋒並非孤立事件，而是高度交織於整個碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）產業鏈的合縱連橫之中。Renesas於2024年6月完成對全球高壓GaN領先企業Transphorm 的收購，藉此獲得 SuperGaN 產品線與常關型 （Normally-off）Cascode 結構技術，全面加速向200mm (8吋) 晶圓與650V耗盡型（d-mode）元件轉型。Navitas選擇提告SuperGaN產品，直接打擊了Renesas 透過併購建立的 GaN 核心戰力。同時，碳化矽巨頭 Wolfspeed（Renesas 為其重要戰略投資者與產能協議夥伴）亦於2026年7月在聯邦法院起訴 Navitas，主張Navitas的GaN及SiC產品侵犯其專利，並尋求美國市場銷售禁令。Navitas在執行長 Allexandre 的領導下，於2026年第二季法說會上同時對 Wolfspeed 與 Renesas 的控訴展開全面強硬反駁。此外，伴隨智財權紛爭與商業模式調整，日本半導體代理商 Ryoyo Ryosan（凌洋旭電）已確認與法院達成調解，將於2027年3月31日正式終止與 Renesas 的授權分銷協議，顯示法律糾紛已開始對 Renesas 的下游通路與客戶供應鏈穩定性帶來實質壓力。

全球 GaN 專利概況與區域競爭格局

氮化鎵（GaN）專利全景展現出高度的技術分化與區域消長特徵。根據KnowMade 等權威智財機構的追蹤，GaN專利主要分為三大領域：功率GaN（Power GaN）、射頻 GaN（RF GaN）以及跨領域泛用型 GaN。

在地緣格局方面，全球GaN專利布局經歷了從日美壟斷到中國大陸數量崛起、美歐日掌握核心品質的轉變。在2001年至2015年間，日本企業 （如 Sumitomo Electric, Toshiba, Panasonic, Fujitsu, Mitsubishi）完全主導了全球GaN創新與專利申請。然而自2016年起，中國大陸的專利申請量呈現爆發式增長，掌握了全球最高的專利總量。截至目前，日本與中國大陸實體合計貢獻了全球功率GaN創新成果的 70%以上。

以2025年的數據為例，單在2025年第三季，全球即公開了599個新GaN專利家族，其中高達70%來自中國大陸的個體。從應用分類看，功率電子領域極為活躍，單季有376個專利家族聚焦於功率應用，遠超射頻領域的107個家族以及多領域應用的110個家族。然而，中國大陸的專利總量很大程度由科研院校（如西安電子科技大學 Xidian University、電子科技大學 UESTC）驅動，這些機構頻繁將專利轉讓予華為 （Huawei）或麥格米特（Macmic）等本土企業。相較之下，美歐日 IDM 巨頭（如 Infineon, Texas Instruments, STMicroelectronics, Rohm）則專注於高價值市場（美、歐、日、韓、台）的專利授權與獲證，並積極進行專利維權與貨幣化（Monetization）操作。

全球主要 GaN 廠商在供應鏈中的定位不同，其智財布局策略亦呈現顯著差異，如表２所示。

表2. 全球主要 GaN 廠商在供應鏈中定位及其智財布局策略；整理製表：北美智權報／李淑蓮

標竿智財訴訟案解析：Infineon 與 EPC 訴 Innoscience

全球GaN產業的智財爭端不僅限於Navitas與Renesas，近年歐美日巨頭對新興GaN巨頭Innoscience 發動的一系列ITC 337調查與地方法院訴訟，揭示了極具代表性的法務博弈與規避戰略。

Infineon於2024 年7月向美國國際貿易委員會（ITC）提起 337 調查（Investigation No. 337-TA-1414），主張 Innoscience 侵犯其4項涉及GaN功率元件封裝與接點結構的核心專利（US 8,686,562、US 9,899,481、US 8,264,003 及 US 9,070,755）。經過長達 650 天的調查，ITC 全體委員會於 2026 年 5 月 7 日做出終局裁定，並於 60 天總統審查期結束後於 2026 年 7 月正式生效。

這場 ITC 訴訟的裁定結果展現了專利訴訟中「規避設計」的強大實質威力。ITC 裁定確認，Innoscience 目前向美國市場供應的現售商業產品（經過技術規避設計重新推出的元件）完全未侵犯 Infineon 的 US 9,899,481 專利。同時，ITC 宣告 ‘481 專利的 4 個請求項無效，僅保留 2 個請求項，且該 2 個請求項僅適用於 Innoscience 早已停產與停止銷售的舊款（Legacy）產品。針對 US 9,070,755 專利，行政法官與委員會均認定不侵權，且 Infineon 放棄上訴。因此，Infineon 企圖利用有限排除令（LEO）全面封殺 Innoscience 美國市場的企圖並未達成實質商業效果，Innoscience 的美國業務得以持續進行。

相較於美國 ITC 戰場的膠著，Infineon 在德國慕尼黑地方法院（Landgericht München I）則取得了一連串重大勝利。德國法院於 2025 年 8 月、2026 年 6 月及 2026 年 7 月初連續作出 4 次裁決，認定 Innoscience 侵犯了 Infineon 的 3 項德國專利及 1 項新型專利（Utility Model）。德國法院頒布了嚴格的禁令，禁止 Innoscience 在德國進口、行銷及銷售侵權產品，並判令其支付損害賠償，迫使 Innoscience 在歐洲展會與市場布局上大幅收縮。

在低壓 GaN 領域，Efficient Power Conversion（EPC）亦向美國 ITC 對 Innoscience 發起訴訟，主張其侵犯了補償閘極金屬絕緣半導體場效電晶體（Compensated Gate MISFET）專利（US 8,350,294）。ITC 於 2024 年 11 月裁定 Innoscience 部分產品侵犯了 ‘294 專利。2025 年 2 月，Innoscience 正式向美國聯邦巡迴上訴法院（CAFC）提出上訴，試圖翻轉 ITC 的認定，該案的最終結果將直接影響全球消費電子與低壓車用 GaN 晶片的供應鏈格局。

GaN 核心技術爭熱點與產業連鎖效應

隨著功率與頻率要求的提升，全球 GaN 專利布局正從傳統的平面式 HEMT 結構向高度複雜的異質整合與架構創新演進。這些技術演進不僅決定了半導體廠商的研發路線，更深遠地影響了全球電子產業鏈的供應鏈安全。

在閘極結構與常關型（Normally-off）可靠度方面，由於原始的 GaN 異質結（AlGaN/GaN）形成常開型（Normally-on/d-mode）元件，系統設計上需要常關型（e-mode）元件以確保電源安全。目前專利爭熱點集中於 p-GaN 閘極沉積技術、p-poly-Si（多晶矽）閘極耦合、補償閘極層（Compensated Gate Layer）以及自對準離子植入技術。TI、Rohm 與 Toshiba 等公司在 2025 年密集申請專利，旨在降低閘極漏電流並解決高壓切換下的臨界電壓（Threshold Voltage）漂移問題。

在磊晶應力控制與 GaN-on-Silicon (矽基氮化鎵) 製造層面，將 GaN 成長於大尺寸矽基板（如 200mm/300mm 晶圓）面臨巨大的晶格常數與熱膨脹係數失配，極易導致晶圓彎曲或裂痕。新興專利（如 Atomera 的超晶格結構、Soctera 的 AlN 後壁障層）專注於應力緩和層、超晶格緩衝層（Superlattice Buffer）以及改善電流塌陷（Current Collapse）效應，使高壓 HEMT 能夠在高頻高溫下保持超低導通電阻（RDS(on)​）。

高密度異質封裝與熱管理亦是專利競爭的核心領域。隨著切換頻率達到兆赫茲（MHz）級別，封裝寄生感抗成為限制性能的瓶頸。目前專利大量轉向驅動器與 GaN FET 單片/共封裝（Co-packaged Driver）、平面 PCB 嵌入式封裝（Planar PCB Embedding）、雙面散熱架構以及創新的熱管理方案。例如美國國防部與加州大學合作研發的鑽石散熱器與碳化物聲子橋接層（Phonon Bridge Layer），展現了次世代熱管理技術的突破方向。

智財訴訟的升溫正在產業鏈下游引發顯著的二階與三階效應。在 AI 資料中心供應鏈中，超大型資料中心（Hyperscalers）在選擇伺服器電源板（Power Shelf）與 800V DC-DC 轉換器時，認證週期長達 12 至 24 個月。由於 Navitas 訴 Renesas 以及 Infineon 訴 Innoscience 等案例的頻發，雲端客戶已將智財權風險（FTO 審查）提升至與產品品質、成本同等重要的地位。伺服器電源廠商在採用特定 GaN 晶片時，開始強制要求晶片供應商簽署全面的智財侵權賠償條款（IP Indemnifications），並實施雙源供應（Dual-sourcing）策略以規避潛在的 ITC 進口禁令。同時，面臨日益嚴峻的專利壁壘與高昂的訴訟成本，缺乏足夠專利深度的新興 Fabless 設計公司將難以獨立進入工業與汽車市場，預計未來 2 至 3 年內半導體產業將出現新一輪以獲取專利組合為核心目的的交叉授權（Cross-licensing）或防衛性併購。

結論與智財戰略建議

全球 GaN 功率半導體市場正處於從消費性電子轉型至高功率 AI 基礎設施與車用市場的臨界點。Navitas 與 Renesas 之間的雙向法律戰，實質上是爭奪下世代 AI 算力基礎設施電源市場話語權的戰略縮影。

對於半導體晶片設計與製造廠商而言，建立「研發與規避」雙軌機制已是當務之急。鑑於 Infineon 與 Innoscience 案中「規避設計」成功阻斷 ITC 禁令的先例，企業在發起新品研發的同時，應即時進行動態專利地景檢測，針對美歐日等核心市場預估潛在侵權風險，並預先準備備用架構規避方案。同時，單純的元件結構專利已極易被後發者跨越，結合驅動、感知與先進低感封裝的系統級「功率 IC（Power IC）」專利壁壘更具備商業防禦價值。

對於下游系統整合商與雲端客戶而言，建立智財風險預警模型至關重要。針對已進入 ITC 訴訟或跨國地方法院訴訟的半導體供應商，應全面評估其訴訟標的產品是否屬於現售商業主推產品，抑或是已可被無縫替換的舊版產品，避免因誤判訴訟資訊而盲目中斷供應鏈合作。在大額採購合約中，應要求供應商出具完整第三方 Freedom-to-Operate (FTO) 報告，並明確約定專利侵權所導致的替換與停工損失賠償機制，以確保高功率電源系統的供應鏈長期安全穩定。

參考資料：

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5. Renesas Electronics Sues Navitas Semiconductor for Trade Secret Theft Involving GaN Chip Technology for AI Data Centers, CHINA INTELLECTUAL PROPERTY LAWYERS NETWORK, 07-28 2026
6. Navitas sues rival chipmaker Renesas for patent infringement, Stockopedia, 10/08/2026
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8. Navitas Files GaN Patent Infringement Lawsuit Against Renesas Over SuperGaN Products, Power Semiconductors Weekly, August 10, 2026
9. Knowmade Releases a New GaN Intellectual Property (IP) Report, Aspencore Network, December 7, 2023
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