在工業界,我們經常需要在各種不同材料的基板上,產生一層特殊材料的薄膜。舉例來說,在半導體製程中,我們有時會需要在矽晶圓上產生一層氧化鋁的薄膜。在先進製程中,我們對這種薄膜的要求是厚度必須控制的非常精準,甚至要達到奈米等級的厚度,而且在晶圓不同位置的薄膜,其厚度必須非常均勻。
傳統的產生薄膜的方法,是利用物理氣相沉積 (PVD) 或化學氣相沉積(CVD)。物理氣相沉積的方法包括:(1) 真空蒸鍍、(2) 陰極濺射法、(3) 離子鍍。化學氣相沉積法的做法就更多了,我們無法一一介紹。在此我們要介紹的是我國自行開發的原子層沉積 (Atomic Layer Deposition,ALD) 技術...