量子科技專利布局：又是中國 No. 1？
看到此篇的標題，讀者可能會覺得很奇怪：為什麼要加上一個問號？
北美智權報在過去刊期中，曾經做過不少不同技術領域的專利調查報導，當中許多高新科技，包括5G、6G、AI、稀土、第3代半導體……等等，中國在專利數量上都位居榜首；這次調查量子科技專利，看完初步資料時，發現中國在此領域的專利數居然又是排行第一，不禁驚訝的置疑。另一方面，提到中國在某些領域專利數量居首時，都有不少人置疑：「數量多不代表什麼，品質又如何？」因此，標題加上問號的第二個目的，是置疑中國在量子科技專利布局方面除了數量第一名外，品質是不是也同樣No.1？
為了寫這篇調查報導，筆者查閱了幾份近年的量子科技專利調查報告，...
異質整合系列-1：藍圖及應用概觀
集體電路 (IC) 發明至今已有50多年，自1991年問世以來，國際半導體技術藍圖 (International Technology Roadmap for Semiconductors，ITRS) 一直是半導產業往前邁進的指南，藍圖預測半導體技術會遵循摩爾定律 (Moore's Law) 的縮放節奏邁進。不過，在2016年7月ITRS所釋出的半導體產業「未來藍圖」報告顯示，估計微處理器中的電晶體體積將在 2021 年開始停止縮小，這意味著微處理器中的電晶體數量將不會再如摩爾定律所說的會逐步增加，也就是說摩爾定律已宣告死亡。隨著摩爾定律的死亡，國際半導體技術藍圖ITRS也將步入歷史。取而代之...
從亞洲供應鏈市值100強觀察半導體產業競爭
DIGITIMES Asia團隊近期發表「亞洲供應鏈100大市值調查報告」，其中，半導體與汽車製造業超過半數，2021年亞洲半導體產業表現依然亮眼，總市值比2020年成長36.3%，除了台積電不負眾望奪下百大市值榜首，2021年入榜的五家台灣半導體企業，市值合計達到7,053億美元，超過中國、日本和韓國的總和。但另一方面，中國和日本半導體市值成長最多，是台灣不可小覷的強勁對手…
市值排名是反映企業價值創造績效和競爭力的重要指標，DIGITIMES以2021年12月31日為截止日期，對在亞洲供應鏈中從事製造活動的上市公司的市值數據進行排名。前100名公司分為科技產品/設備、消費品等行業...
結盟RISC-V陣營，英特爾進軍代工事業能否彎道超車？
今年二月初，英特爾宣布正式加入RISC-V基金會，又與眾多RISC-V架構的晶片業者組成策略聯盟，再加上之前一連串的擴廠、併購，都是為了讓英特爾的代工事業能夠離成功更近一步。
英特爾（Intel）在2021年初，從外部找回來了老將基辛格（Patrick Gelsinger）擔任執行長，在他的掌舵之下，這一年來英特爾最重大的轉變就是成立晶圓代工服務（Intel Foundry Services, IFS）事業，進軍被台積電、三星、格羅方德佔據的代工產業。
就在基辛格就任屆滿一周年之際，英特爾大張旗鼓舉辦了投資人會議（Investor Meeting），由基辛格親自率領高階主管，揭露英特爾...
歐洲晶片法案宣示歐盟誓保半導體產業要角的決心
2022年2月8日，歐盟委員會 (European Commission) 公佈了歐洲晶片法案(A Chips Act for Europe)，除了預計投入超過430億歐元（約480億美元）的補貼外；另提供110億歐元 (約125億美元)，以加強現有半導體研究、開發與創新技術，企圖帶動歐盟各國投資半導體產業。歐洲晶片法案的目標乃將歐盟全球半導體市場市占率從現階段的10%，在2030年前提升至20%。歐洲晶片法案可以說是全球半導體晶片戰略地圖的最後一塊拼圖。
隨著數位化轉型加速，全球對晶片的需求也迅速增長。預計到21世紀末，全球對晶片需求將翻一倍。不可否認的是，半導體正處於強大的地緣戰...
競爭加劇！面板市場進入價格修正期
2021年對面板產業而言，上下半年的市場需求冷暖差異極大。上半年面板市場持續承接2020年延伸而來的強勁需求，更衍生了缺貨問題，加劇面板需求的熱度。但進入下半年後，隨著主要區域疫苗覆蓋率提升，以及消費動能的放緩，持續帶動成長的引擎逐漸熄火，面板市場需求開始出現轉弱的訊號。展望2022年，觀察面板產業供給需求端的變化，劇烈的市場競爭及價格修正恐將難以避免…
全球Monitor市場概況
近兩年終端對於面板需求強勁，帶動筆電顯示面板市場出貨表現暢旺，根據TrendForce統計顯示，2021 年全球筆記型電腦顯示面板市場出貨量預估將高達2.8億片，年成長達25.3%。回顧2021上半年需求強...
原子層沉積技術與設備
在工業界，我們經常需要在各種不同材料的基板上，產生一層特殊材料的薄膜。舉例來說，在半導體製程中，我們有時會需要在矽晶圓上產生一層氧化鋁的薄膜。在先進製程中，我們對這種薄膜的要求是厚度必須控制的非常精準，甚至要達到奈米等級的厚度，而且在晶圓不同位置的薄膜，其厚度必須非常均勻。
傳統的產生薄膜的方法，是利用物理氣相沉積 (PVD) 或化學氣相沉積(CVD)。物理氣相沉積的方法包括：(1) 真空蒸鍍、(2) 陰極濺射法、(3) 離子鍍。化學氣相沉積法的做法就更多了，我們無法一一介紹。在此我們要介紹的是我國自行開發的原子層沉積 (Atomic Layer Deposition，ALD) 技術...
扇出型封裝正變得無處不在
集微諮詢（JW insights）認為：
▲ 扇出型封裝 (Fan-out Panel Level Packaging, FOPLP) 因為能夠提供具有更高I/O密度的更大晶片，大幅減少系統的尺寸，正成為應對異構整合挑戰的不二之選；
▲ 當FOPLP技術進一步成熟，有越來越多類型的廠商參與進來的時候，扇出型封裝可能會迎來全面的爆發。
由於摩爾定律在7nm以下已經難以維持以前的速度，後端封裝技術對於滿足對低延遲、更高頻寬和具有成本效益的半導體晶片的需求變得越來越重要。而扇出型封裝因為能夠提供具有更高I/O密度的更大晶片，大幅減少系統的尺寸，正成為應對異構整合挑戰的不二之選。
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中國SiC基板企業技術圖譜：「產學研」基因凸顯
集微諮詢（JW insights）認為：
中國碳化矽產業化帶有「學研」基因極為突出，「產學研用」已成中國碳化矽基板領域的重要特色；
中國SiC商業化基板（中國大陸稱襯底）以4吋為主，逐步向6吋過渡，與國際主流相比，中國大尺寸SiC單晶基板製備技術仍不成熟，單晶基板尺寸仍然偏小；
國內SiC單晶材料領域在以下方面存在一定風險：一是SiC單晶企業無法為中國已經／即將投產的6吋晶片生產線提供高品質的6吋單晶基板材料。
以碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體 (亦即化合物半導體，compound semiconductor) 材料是繼矽材料之後...
第三代半導體專利角力：美日影響力大，中國以量取勝
毫無疑問的，近幾年美、日、韓、中、以及歐洲各國，都在積極的發展第三代半導體 (亦即化合物半導體，又被稱為「寬能隙半導體，WBG」)的技術，其中又以氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）為主。從目前第三代半導體材料及設備的研發來看，碳化矽和氮化鎵是較為成熟及應用較普及的。為了能自由實施技術 (freedom to operate)，除了爭取在技術和市場領先外，專利布局也是各國相關廠商，甚至是政府相當重視的一環。雖然根據《日本經濟新聞》報導，截至今年7月29日為止，碳化矽相關專利影響力最大的前5名都是來自美國及日本的大廠，然而，如以專利總數量來算，中國卻是超前美國的，此一現象值得深入探討。此外，目前日...
