在國科會補助下,國立陽明交通大學黃彥霖助理教授領導的研究團隊攜手關鍵廠商、工研院、國研院國家同步輻射研究中心、史丹佛大學及國立中興大學成功突破自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體(SOT-MRAM)的關鍵材料限制,可讓此高速低功耗記憶體商用化,未來將有助於大型語言模型(LLMs)、行動裝置(延長電池續航並提升資料安全性)及車用電子與資料中心(高可靠度與低能耗),該項研發成果並已發表在《Nature Electronics》期刊上。
記憶體是電腦的「資料倉庫」,負責儲存指令、運算結果及各種運算所需的資訊。現有的記憶體分成兩大類:一種是速度快但斷電就消失的揮發性記憶體(如DRAM、SRAM)...