碳化矽SiC基板發展現狀淺析
集微諮詢（JW insights）認為：
SiC (碳化矽) 產業鏈分為上中下游三個環節：上游包括基板和磊晶晶圓 (或稱外延片，Epitaxial Wafer) 的製備；中游包括晶片、器件或模組的設計、製造和封測；下游則是終端應用。其中基板的加工難度是最高的，它的價值量也是相對最大的，價值量占比中大概基板會占到一半左右。
全球範圍內看，半絕緣基板和磊晶晶圓由4吋向6吋線轉移，4吋線3~5年逐漸淘汰；導電型基板以6吋為主，GREE已有8吋樣品出貨，未來5年將達到量產標準。
中國本土主要半絕緣基板集中在2-4吋，導電型基板從4吋向6吋在逐步過渡，6吋基板開始規模化生產...
晶片人才培養難題極待化解
編者按：半導體人才短缺不僅是台灣的問題，這已是全球性的煩惱，當然對岸也不例外。大陸所面對的問題和台灣很類似，像是人才供不應求、產學落差大，畢業生不能學以致用…等等。當然挖角是最速成的手段，台灣廠商在這方面也深受其苦；但挖角只能救急，治標不治本。面對人才不足的問題，大陸當局祭出不少手段；他山之石可以攻錯，也許有一些地方可供台灣參考。
中國晶片產業需要哪些人才？如何培養高端人才？
晶片是現代電子產業的心臟、資訊技術的基石。自2014年中國《國家積體電路產業發展推進綱要》發佈以來，中國大陸的積體電路產業連續保持每年20%左右的複合增長率。在當前新形勢下，要保持產業的持續高品質快速發展，尚存在...
中國封測行業景氣高漲：未來競爭力如何？
集微網報導，持續近一年的半導體供應短缺問題不見緩解。高盛最新報告顯示，汽車、消費電子、家電等多達169個全球行業在一定程度上受到了晶片短缺的影響。半導體製造產能包括晶圓代工和封測高景氣度有增無減，尤其海外疫情控制不利、5G、IoT、服務器和新能源需求強勁等因素推動了中國封測行業訂單強勁成長。
作為中國半導體行業發展最具競爭力的環節，中國封測行業景氣是否能長期維持？尤其進入後摩爾時代，半導體製造龍頭企業已經從過去靠提升製程技術來提升晶片性能，逐漸轉向系統級封裝技術的創新。在先進封裝重要性日益突出的未來，他們的競爭實力如何？
當前：「缺芯」帶來短期重大利好，行業地位穩定
「缺芯」潮下...
意法半導體攜手Norstel AB 共創碳化矽SiC專利佈局
晶圓是碳化矽供應鏈的關鍵
晶圓是半導體晶片製造最關鍵的材料之一，而隨著新型材料的發展，以碳化矽SiC為代表的新材料已成為全球企業重點關注的電子材料。全球從事碳化矽晶圓製造的企業並不多，這些企業幾乎壟斷了整個碳化矽晶片製造的材料市場(圖1)，真正能有很好市場效益的企業也就歐美那幾家大廠，羅姆、英飛淩和科銳等均在此投入相當大的研發成本和精力。
全球碳化矽晶圓短缺、產能不足已是業界眾所周知的窘境。換言之，現今的碳化矽晶圓市場收購的目標非常少。有鑑於晶圓是碳化矽供應鏈的關鍵，全球碳化矽晶圓告急，意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)為擴大對碳化矽市場的佈局，總裁兼首席...
初探國際半導體大廠ROHM之SiC碳化矽專利佈局
帶隙能量（bandgap energy）比第一和第二代半導體 (諸如Si、GaAs) 寬，且具有高電場耐壓性能；因此能實現高耐壓化、大電流化、低導通電阻化、高效率化、低功耗化、高速開關等的碳化矽 (SiC) 第三代半導體而備受矚目。第三代半導體材料主要用於光電子器件、電力電子器件 (即功率半導體) 以及微波 (Microwave) 或射頻 (Radio frequency，RF) 器件。汽車是碳排放的重要來源，低碳排放的趨勢驅動全球電動汽車產業崛起，帶動電力電子 (即功率半導體) 快速增長。
電動汽車的整車半導體平均總成本是傳統汽車的兩倍，而電動汽車有高達五成的總成本與功率元件有...
電動車商機驅動寬能隙半導體布局趨之若鶩 台廠搶攻不落人後
儘管 COVID-19 和中美貿易摩擦對全球汽車供應鏈的運作及車市造成衝擊，但基於開發車用晶片所需的驗證時間長，以及汽車產業持續邁向電氣化、智慧化等電動車化的發展，各大車廠無不提早佈局新款車輛搶占供應鏈，進而帶動車用半導體的需求繼續上揚。根據研調機構 TrendForce旗下之拓墣產業研究院表示，2021年全球車用晶片產值將上看210億美元，年成長為12.5%。未來不只電動車需要第三代半導體，從提升太陽能發電效率、縮短電動車充電時間，到提高資料中心的用電效率、縮小行動裝置電源體積，都用得上這項技術。
碳化矽(SiC)半導體材料被寄予厚望
半導體材料歷經三個發展階段，第一代是矽(Si...
散出型晶圓級構裝 (Fan-Out WLP)之技術與挑戰
由於消費性電子產品對於可攜式(Portability)及多功能(Multi-function)之需求，迫使微電子構裝發展朝小尺寸、高性能、及降低成本前進。晶圓級構裝(Wafer Level Package; 簡稱WLP)具備縮小構裝尺寸之優勢，剛好迎合行動電子產品之市場趨勢。
然而，傳統WLP構裝是將晶片的I/O點，經由散入(Fan-In)技術將凸塊以矩陣式( Area Array)排列於晶片面積內，簡稱為Fan-In WLP。然而，決定晶片是否可採用散入(Fan-In)技術構裝之前，必須同時評估元件尺寸、I/O接點數及間距等因素，進而確認晶片是否有足夠的空間容納所有的連接點。
前段I...
