李淑蓮╱北美智權報 編輯部
全球半導體產業正迎來一場前所未有的結構性劇變。根據最新市場追蹤數據顯示，全球記憶體市場已正式告別傳統循環，進入極其罕見的「超級多頭（Hyper-Bull）」階段。在人工智慧（AI）應用與高效能伺服器需求的雙重引擎驅動下，目前的市場熱度不僅重回 2018 年的歷史高點，更在議價能力與價格結構上展現出全面超越之勢。
記憶體價格之季度波動，圖片來源：Counterpoint Research Memory Price Tracker, January 7, 2026
價格狂飆：每 Gb 單價翻倍，挑戰 1,000 美元大關
本波漲勢的凶猛程度令業界咋舌。根據市場分析預估，記憶體價格的攀升勢頭在未來一年內幾無放緩跡象：
- 2025 年第四季： 預計大幅上漲 40%–50%。
- 2026 年第一季： 漲幅將維持在 40%–50% 的高位。
- 2026 年第二季： 儘管漲速稍緩，但預期仍有約 20% 的上漲空間。
具體以伺服器核心組件 64GB RDIMM 為例，其單價已從 2025 年第三季的 255 美元，跳升至第四季的 450 美元。市場分析師更悲觀預測，該產品在 2026 年 3 月前將直指 700 美元，甚至不排除在今年內衝破 1,000 美元 關卡。
若換算為每 Gb 單價，屆時將達到約 1.95 美元，幾乎是 2018 年歷史高點（1.00 美元/Gb）的兩倍。這標誌著記憶體市場已脫離傳統的供需循環，進入由 AI 定義的全新價值體系。
技術轉移效應：舊世代供應遭「抽血」，硬體成本大洗牌
記憶體供應商的戰略位移，正對下游製造商的物料清單（BoM）成本造成深遠衝擊。 隨著 Samsung（三星）、SK hynix（SK 海力士） 以及中國廠商 CXMT（長鑫存儲） 全速將產能向高毛利的伺服器專用 DDR5 傾斜，傳統應用於行動裝置的 LPDDR4 與 eMMC 等舊世代技術正面臨供應極速收縮。
這種「產能排擠」效應將在 2026 年第一季達到頂峰。數據顯示，在 2025 年 DRAM 價格飆升 50% 的基礎上，2026 年上半年的持續上漲將嚴重壓縮硬體利潤。為了生存，原始設備製造商（OEM）正被迫調整產品組合，減少低毛利的入門級產品，轉向獲利空間較大的中高階市場。
入門級手機受災最重：非洲市場恐首當其衝
這場記憶體風暴的蝴蝶效應，最終將由特定區域的消費者買單。
- 品牌衝擊： 對入門機型依賴度較高的中國品牌受災最深。
- 區域市場： 尤其在非洲等新興市場，當地用戶正處於從功能型手機升級至平價智慧型手機的關鍵期，對價格波動極其敏感。成本的激增可能導致這些地區的智慧化進程停滯。
- 高階品牌： 相比之下，Apple、Samsung 與小米 等產品組合偏向高階的品牌，雖然短期銷售仍有壓力，但憑藉較高的產品溢價，受衝擊程度相對受控。
展望 2026：資本支出難解「近渴」
即便供應商已意識到缺口並開始擴張資本支出（CAPEX），預估 2026 年 DRAM 產量將年增 24%，但新產能的釋放速度仍趕不上 AI 需求的爆發。
Counterpoint Research 研究總監 MS Hwang 指出：「在 AI 浪潮下，記憶體已從大宗商品轉變為最具戰略價值的關鍵零組件。這場價格高檔化的趋势將延續至 2026 年，不僅會改寫終端裝置的定價策略，更將重新定義全球半導體供應鏈的權力結構。」
業界普遍認為，在這場「超級多頭」的戰役中，擁有產能配置權與高階技術門檻的供應商將成為最大贏家，而下游硬體產業則必須在成本寒冬中，尋找新的生存之道。
參考資料：
- Memory Prices Soar by 50% in Q4, Rally to Continue in 2026, Counterpoint Technology Market Research, January 7, 2026
