李淑蓮╱北美智權報 編輯部
據包括日經中文網及南華早報 (South China Morning Post)等多家外媒報導，受美國制裁的華為技術公司一項於三年前提交的專利細節近日公開，該專利揭示了一種新的金屬整合技術，意圖利用舊款的深紫外光（DUV）技術來實現與2奈米級製程相媲美的先進圖案化。此一發展加劇了業界對華為可能在先進晶片領域取得突破的猜測。
華為一項名為《三維耦合架構》的量子晶片專利（公開號CN115271077A）於最近正式公開，此一技術方案提出了一種技術手段，允許使用DUV技術來製作「金屬間距低於21奈米」的窄小金屬結構，這正是製造2奈米級晶片所必需的特徵。
繞過 EUV 瓶頸的技術雄心
報導指出，華為提出的解決方案，被視為旨在繞開美國對中國獲取先進技術的限制，特別是來自荷蘭 ASML 公司的尖端 EUV 極紫外光刻機的禁運。透過使用 DUV 技術來支持 2 奈米製程，華為正在尋求一條本土化的替代道路。
此專利於 2022 年 6 月提交，並於2025年 1 月由中國國家知識產權局CNIPA公開。不過，報導同時指出，目前尚無證據顯示該專利已被實際投入使用。
業界關注：挑戰台積電2奈米製程
儘管如此，這項專利仍然引起了產業的廣泛關注。它開啟了克服關鍵技術障礙的可能性，有望幫助華為追趕目前被認為全球最先進的台積電（TSMC）2 奈米製程。
華為的解決方案採用了「自對準四重圖案化（Self-Aligned Quadruple Patterning, SAQP）」的變體，並結合了先進的「間隔物定義圖案化」和雙重硬遮罩材料。這種方法旨在創建兩組交織的金屬線，從而減少對極高精度的光刻對準的要求，以補償 DUV 相較於 EUV 在光刻精度上的不足。
報導引述業界觀察，指出這種複雜的 SAQP 方法比 EUV 光刻需要更多的製程步驟，能否實現商業化可行的大規模生產良率，仍是關鍵的挑戰。
專利數據顯示華為積極佈局下一代技術
這項專利是華為在半導體領域持續努力的一部分。根據日本專利分析平台 Patentfield 的數據，華為在近年來積極佈局 2 奈米後續技術，除了於2023 年提交了 20 項關於 「全環繞柵極（GAA）」的專利 — 一種用於 2 奈米製程的尖端電晶體技術外，還有提交用於 1 奈米以上製程節點的互補場效應電晶體相關專利。
此外，華為在「圖形處理單元（GPU）」方面的專利申請量在 2023 年達到了 3,091 項，比 2018 年增長了十倍，其數量分別是Intel的三倍和NVidia的五倍，顯示了華為在人工智慧核心硬體領域的巨大投入。
參考資料：
(1) 「從專利申請看華為的未來佈局」，NIKKEI — 日本經濟新聞中文版，2025年12月2日
(2) Huawei’s 2022 patent details novel technique to make 2-nm-class chips without EUV tool, SCMP, 4 Dec 2025
(3) 华为量子芯片专利破局全球！中国领跑”量子算力核爆”，万亿产业革命进入倒计时，棠漠宝家，2025年8月1日
